N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STFH18N60M2

Код товара RS: 178-1406Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STFH18N60M2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

13 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-220FP

Серия

MDmesh M2

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

280 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

11.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

21,5 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.8мм

Прямое напряжение диода

1.6V

Высота

16.2мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STFH18N60M2

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STFH18N60M2
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

13 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-220FP

Серия

MDmesh M2

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

280 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

11.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

21,5 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.8мм

Прямое напряжение диода

1.6V

Высота

16.2мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics