STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF45N10F7

Код товара RS: 791-9320Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STF45N10F7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

110A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-220

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

7mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

30W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

72nC

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

16.4мм

Длина

10.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 872,30

тг 974,46 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF45N10F7
Select packaging type

тг 4 872,30

тг 974,46 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF45N10F7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 974,46тг 4 872,30
50 - 120тг 710,73тг 3 553,65
125 - 495тг 625,80тг 3 129,00
500 - 995тг 527,46тг 2 637,30
1000+тг 469,35тг 2 346,75

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

110A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-220

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

7mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

30W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

72nC

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

16.4мм

Длина

10.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics