STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-220FP STF45N10F7

Код товара RS: 791-9320PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STF45N10F7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET H7

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

16.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-220FP STF45N10F7
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-220FP STF45N10F7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET H7

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

16.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics