Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
2.5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1kV
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
6Ом
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
25W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
18nC
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
16.4мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 4 067,70
тг 813,54 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 4 067,70
тг 813,54 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 5 | тг 813,54 | тг 4 067,70 |
| 10 - 45 | тг 813,54 | тг 4 067,70 |
| 50 - 95 | тг 710,73 | тг 3 553,65 |
| 100 - 245 | тг 639,21 | тг 3 196,05 |
| 250+ | тг 607,92 | тг 3 039,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
2.5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1kV
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
6Ом
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
25W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
18nC
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
16.4мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
