STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP STF28N60DM2
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
21 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220FP
Серия
MDmesh DM2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
160 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.6мм
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
34 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Высота
16.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.6V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
21 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220FP
Серия
MDmesh DM2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
160 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.6мм
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
34 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Высота
16.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.6V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.