Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
20A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-220
Серия
MDmesh
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
165mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
35W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
60nC
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
16.4мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 109,84
тг 2 109,84 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 2 109,84
тг 2 109,84 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | тг 2 109,84 |
| 10 - 49 | тг 1 738,83 |
| 50 - 99 | тг 1 703,07 |
| 100 - 249 | тг 1 506,39 |
| 250+ | тг 1 390,17 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
20A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-220
Серия
MDmesh
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
165mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
35W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
60nC
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
16.4мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
