Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
18A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
710V
Корпус
TO-220
Серия
MDmesh M5
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
190mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
30W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
36nC
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
16.4мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 8 001,30
тг 1 600,26 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 8 001,30
тг 1 600,26 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 1 600,26 | тг 8 001,30 |
| 25 - 95 | тг 1 314,18 | тг 6 570,90 |
| 100 - 245 | тг 1 077,27 | тг 5 386,35 |
| 250 - 495 | тг 952,11 | тг 4 760,55 |
| 500+ | тг 871,65 | тг 4 358,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
18A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
710V
Корпус
TO-220
Серия
MDmesh M5
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
190mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
30W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
36nC
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
16.4мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
