STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MOSFET, 12 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP STF16N65M5
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220FP
Серия
MDmesh M5
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
299 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
31 нКл при 10 В
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 1 931,04
тг 965,52 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 1 931,04
тг 965,52 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 8 | тг 965,52 | тг 1 931,04 |
| 10 - 18 | тг 755,43 | тг 1 510,86 |
| 20 - 48 | тг 657,09 | тг 1 314,18 |
| 50 - 98 | тг 585,57 | тг 1 171,14 |
| 100+ | тг 540,87 | тг 1 081,74 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220FP
Серия
MDmesh M5
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
299 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
31 нКл при 10 В
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.