STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel Power MOSFET, 11 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STF15N65M5
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
11A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
TO-220FP
Серия
MDmesh M5
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.34Ом
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
85W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
±25 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
22nC
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
16.4мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 5 587,50
тг 1 117,50 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 5 587,50
тг 1 117,50 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 1 117,50 | тг 5 587,50 |
| 25 - 95 | тг 907,41 | тг 4 537,05 |
| 100 - 245 | тг 719,67 | тг 3 598,35 |
| 250 - 495 | тг 701,79 | тг 3 508,95 |
| 500+ | тг 634,74 | тг 3 173,70 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
11A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
TO-220FP
Серия
MDmesh M5
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.34Ом
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
85W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
±25 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
22nC
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
16.4мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.