Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой FDmesh II Power MOSFET
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
10A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-220FP
Серия
FDmesh
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.45Ом
Номер канала
Поднятие
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
±25 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
30nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
90W
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
16.4мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой FDmesh II Power MOSFET
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
10A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-220FP
Серия
FDmesh
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.45Ом
Номер канала
Поднятие
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
±25 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
30nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
90W
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
16.4мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
