STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF100N10F7

Код товара RS: 786-3625Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STF100N10F7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

45A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-220

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

8mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

30W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

61nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

16.4мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 151,35

тг 630,27 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF100N10F7
Select packaging type

тг 3 151,35

тг 630,27 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF100N10F7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 630,27тг 3 151,35
50 - 245тг 509,58тг 2 547,90
250 - 495тг 460,41тг 2 302,05
500 - 995тг 451,47тг 2 257,35
1000+тг 442,53тг 2 212,65

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

45A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-220

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

8mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

30W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

61nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

16.4мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics