Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
53A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
500V
Корпус
ISOTOP
Тип монтажа
Рамка панели
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
80mΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-65°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
310nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
460W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
25.5 mm
Длина
38.2мм
Материал каски/сварочной маски
9.1мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
53A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
500V
Корпус
ISOTOP
Тип монтажа
Рамка панели
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
80mΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-65°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
310nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
460W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
25.5 mm
Длина
38.2мм
Материал каски/сварочной маски
9.1мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
