STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 53 A, 500 V, 4-Pin ISOTOP STE53NC50

Код товара RS: 485-7383Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STE53NC50
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

53 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

ISOTOP

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

80 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

460 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

310 нКл при 10 В

Ширина

25.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

38.2мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.1мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 13 968,75

тг 13 968,75 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 53 A, 500 V, 4-Pin ISOTOP STE53NC50

тг 13 968,75

тг 13 968,75 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 53 A, 500 V, 4-Pin ISOTOP STE53NC50

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 13 968,75
25 - 99тг 11 970,66
100 - 249тг 11 166,06
250 - 499тг 10 298,88
500+тг 9 834,00
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

53 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

ISOTOP

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

80 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

460 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

310 нКл при 10 В

Ширина

25.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

38.2мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.1мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать