Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
53 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Серия
MDmesh, SuperMESH
Тип корпуса
ISOTOP
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
80 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
460 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
310 нКл при 10 В
Ширина
25.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
38.2мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.1мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 13 968,75
тг 13 968,75 Each (ex VAT)
1
тг 13 968,75
тг 13 968,75 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 13 968,75 |
| 25 - 99 | тг 11 970,66 |
| 100 - 249 | тг 11 166,06 |
| 250 - 499 | тг 10 298,88 |
| 500+ | тг 9 834,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
53 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Серия
MDmesh, SuperMESH
Тип корпуса
ISOTOP
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
80 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
460 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
310 нКл при 10 В
Ширина
25.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
38.2мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.1мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Информация о товаре
