Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
0.35A
Число контактов
28
Время спада
50ns
Корпус
SO-28
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
120ns
Минимальное напряжение питания
20V
Количество драйверов
1
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
20V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
125°C
Длина
18.1мм
Материал каски/сварочной маски
2.65мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics Triple half-bridge high-voltage gate driver is a high voltage device manufactured with BCD6s offline technology. It is a single-chip with three half-bridge gate drivers for N-channel power MOSFETs or IGBTs suitable for 3-phase applications.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
0.35A
Число контактов
28
Время спада
50ns
Корпус
SO-28
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
120ns
Минимальное напряжение питания
20V
Количество драйверов
1
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
20V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
125°C
Длина
18.1мм
Материал каски/сварочной маски
2.65мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics Triple half-bridge high-voltage gate driver is a high voltage device manufactured with BCD6s offline technology. It is a single-chip with three half-bridge gate drivers for N-channel power MOSFETs or IGBTs suitable for 3-phase applications.
