STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD9N60M6

Код товара RS: 225-0672Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD9N60M6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

6A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

750mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

76W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

10nC

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD9N60M6
Select packaging type

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD9N60M6

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

6A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

750mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

76W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

10nC

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет