STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 5.5 A, 650 V, 3-Pin DPAK STD9N60M2
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
780 mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
6.2мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.4мм
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 1 296,30
тг 259,26 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 1 296,30
тг 259,26 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 45 | тг 259,26 | тг 1 296,30 |
| 50 - 245 | тг 259,26 | тг 1 296,30 |
| 250 - 495 | тг 254,79 | тг 1 273,95 |
| 500 - 2495 | тг 250,32 | тг 1 251,60 |
| 2500+ | тг 241,38 | тг 1 206,90 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
780 mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
6.2мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.4мм
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).