N-Channel MOSFET, 80 A, 25 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD95N2LH5

Код товара RS: 760-9957Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD95N2LH5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

STripFET V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Типичный заряд затвора при Vgs

13,4 нКл при 5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.6мм

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 436,15

тг 487,23 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 80 A, 25 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD95N2LH5
Select packaging type

тг 2 436,15

тг 487,23 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 80 A, 25 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD95N2LH5
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 245тг 487,23тг 2 436,15
250 - 495тг 362,07тг 1 810,35
500 - 620тг 317,37тг 1 586,85
625 - 1245тг 299,49тг 1 497,45
1250+тг 263,73тг 1 318,65

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

STripFET V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Типичный заряд затвора при Vgs

13,4 нКл при 5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.6мм

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics