Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Серия
STripFET V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
13,4 нКл при 5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.6мм
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
2.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 2 436,15
тг 487,23 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 436,15
тг 487,23 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 245 | тг 487,23 | тг 2 436,15 |
250 - 495 | тг 362,07 | тг 1 810,35 |
500 - 620 | тг 317,37 | тг 1 586,85 |
625 - 1245 | тг 299,49 | тг 1 497,45 |
1250+ | тг 263,73 | тг 1 318,65 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Серия
STripFET V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
13,4 нКл при 5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.6мм
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
2.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.