STMicroelectronics STD95N2LH5 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Серия
STripFET V
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
13,4 нКл при 5 В
Ширина
6.2мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.4мм
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Серия
STripFET V
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
13,4 нКл при 5 В
Ширина
6.2мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.4мм
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.