STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD80N4F6

Код товара RS: 791-9308Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD80N4F6
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

40V

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

6mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

70W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

36nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 5 587,50

тг 558,75 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD80N4F6
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 5 587,50
20тг 11 175,00
30тг 16 762,50
40тг 22 350,00
50тг 27 490,50
60тг 32 988,60
70тг 38 486,70
80тг 43 984,80
90тг 49 482,90
100тг 54 981,00
110тг 60 479,10
120тг 65 977,20
130тг 71 475,30
140тг 76 973,40
150тг 82 471,50

тг 5 587,50

тг 558,75 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD80N4F6

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 5 587,50
20тг 11 175,00
30тг 16 762,50
40тг 22 350,00
50тг 27 490,50
60тг 32 988,60
70тг 38 486,70
80тг 43 984,80
90тг 49 482,90
100тг 54 981,00
110тг 60 479,10
120тг 65 977,20
130тг 71 475,30
140тг 76 973,40
150тг 82 471,50

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 558,75тг 5 587,50
50 - 240тг 549,81тг 5 498,10
250 - 990тг 438,06тг 4 380,60
1000 - 2490тг 317,37тг 3 173,70
2500+тг 295,02тг 2 950,20

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

40V

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

6mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

70W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

36nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics