Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
80A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
40V
Серия
DeepGate, STripFET
Корпус
TO-252
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
6mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
36nC
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
70W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
6.6мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
6.2 mm
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
80A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
40V
Серия
DeepGate, STripFET
Корпус
TO-252
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
6mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
36nC
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
70W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
6.6мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
6.2 mm
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
