STMicroelectronics STD80N4F6 MOSFET

Код товара RS: 165-6582Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD80N4F6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

40V

Серия

DeepGate, STripFET

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

6mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

36nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

70W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STD80N4F6 MOSFET

P.O.A.

STMicroelectronics STD80N4F6 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

40V

Серия

DeepGate, STripFET

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

6mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

36nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

70W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics