STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V, 3-Pin DPAK STD80N4F6

Код товара RS: 791-9308Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD80N4F6
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

DeepGate, STripFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

36 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

тг 5 587,50

тг 558,75 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V, 3-Pin DPAK STD80N4F6
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 5 587,50
20тг 11 175,00
30тг 16 762,50
40тг 22 350,00
50тг 27 490,50
60тг 32 988,60
70тг 38 486,70
80тг 43 984,80
90тг 49 482,90
100тг 54 981,00
110тг 60 479,10
120тг 65 977,20
130тг 71 475,30
140тг 76 973,40
150тг 82 471,50

тг 5 587,50

тг 558,75 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V, 3-Pin DPAK STD80N4F6

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 5 587,50
20тг 11 175,00
30тг 16 762,50
40тг 22 350,00
50тг 27 490,50
60тг 32 988,60
70тг 38 486,70
80тг 43 984,80
90тг 49 482,90
100тг 54 981,00
110тг 60 479,10
120тг 65 977,20
130тг 71 475,30
140тг 76 973,40
150тг 82 471,50

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 558,75тг 5 587,50
50 - 240тг 549,81тг 5 498,10
250 - 990тг 438,06тг 4 380,60
1000 - 2490тг 317,37тг 3 173,70
2500+тг 295,02тг 2 950,20

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

DeepGate, STripFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

36 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics