STMicroelectronics STP N channel-Channel Power MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 2-Pin TO-252 STD70N10F4

Код товара RS: 719-650Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD70N10F4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Тип канала

N-канальный

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

60A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-252

Серия

STP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

2

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.0195Ом

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

85nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

125W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

±20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

6.6 mm

Длина

6.2мм

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STP N channel-Channel Power MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 2-Pin TO-252 STD70N10F4

P.O.A.

STMicroelectronics STP N channel-Channel Power MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 2-Pin TO-252 STD70N10F4

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Тип канала

N-канальный

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

60A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-252

Серия

STP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

2

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.0195Ом

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

85nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

125W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

±20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

6.6 mm

Длина

6.2мм

Материал каски/сварочной маски

2.4мм