STMicroelectronics STripFET F3 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD65N55F3

Код товара RS: 795-9000Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD65N55F3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

55V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET F3

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

8.5mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

33.5nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

110W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 844,20

тг 768,84 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET F3 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD65N55F3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 844,20
10тг 6 973,20
15тг 10 459,80
20тг 13 946,40
25тг 17 433,00
30тг 20 919,60
35тг 24 406,20
40тг 27 892,80
45тг 31 379,40
50тг 34 866,00
55тг 38 352,60
60тг 41 839,20
65тг 45 325,80
70тг 48 812,40
75тг 52 299,00

тг 3 844,20

тг 768,84 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET F3 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD65N55F3

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 844,20
10тг 6 973,20
15тг 10 459,80
20тг 13 946,40
25тг 17 433,00
30тг 20 919,60
35тг 24 406,20
40тг 27 892,80
45тг 31 379,40
50тг 34 866,00
55тг 38 352,60
60тг 41 839,20
65тг 45 325,80
70тг 48 812,40
75тг 52 299,00

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 5тг 768,84тг 3 844,20
10 - 95тг 697,32тг 3 486,60
100 - 495тг 607,92тг 3 039,60
500 - 995тг 531,93тг 2 659,65
1000+тг 438,06тг 2 190,30

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

55V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET F3

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

8.5mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

33.5nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

110W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics