STMicroelectronics STD65N55F3 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Серия

STripFET F3

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

6.2мм

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

33,5 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China