STMicroelectronics STD60NF06T4 MOSFET

Код товара RS: 687-5071Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD60NF06T4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

16 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

49 нКл при 10 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

тг 2 726,70

тг 545,34 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STD60NF06T4 MOSFET
Select packaging type

тг 2 726,70

тг 545,34 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STD60NF06T4 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 545,34тг 2 726,70
25 - 45тг 429,12тг 2 145,60
50 - 120тг 415,71тг 2 078,55
125 - 245тг 339,72тг 1 698,60
250+тг 335,25тг 1 676,25

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

16 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

49 нКл при 10 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics