STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5 A, 650 V Enhancement, 3-Pin IPAK STD5NM60T4

Код товара RS: 188-8455Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD5NM60T4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

5A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

IPAK

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

1Ом

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

96W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

13nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.4 mm

Материал каски/сварочной маски

6.2мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5 A, 650 V Enhancement, 3-Pin IPAK STD5NM60T4
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5 A, 650 V Enhancement, 3-Pin IPAK STD5NM60T4

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

5A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

IPAK

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

1Ом

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

96W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

13nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.4 mm

Материал каски/сварочной маски

6.2мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет