STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Код товара RS: 188-8289Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD5N80K5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

4A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

800V

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

1.73Ом

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

5nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

60W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

6.2 mm

Длина

6.6мм

Материал каски/сварочной маски

2.17мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

4A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

800V

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

1.73Ом

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

5nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

60W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

6.2 mm

Длина

6.6мм

Материал каски/сварочной маски

2.17мм

Автомобильный стандарт

Нет