STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD45N10F7

Код товара RS: 791-9291Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD45N10F7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

45A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

18mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

60W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

25nC

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 933,60

тг 786,72 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD45N10F7
Select packaging type

тг 3 933,60

тг 786,72 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD45N10F7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 786,72тг 3 933,60
50 - 245тг 603,45тг 3 017,25
250 - 995тг 505,11тг 2 525,55
1000 - 2495тг 397,83тг 1 989,15
2500+тг 379,95тг 1 899,75

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

45A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

18mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

60W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

25nC

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics