Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Максимальное напряжение сток-исток
900 В
Серия
MDmesh, SuperMESH
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,8 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
22,7 нКл при 10 В
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Максимальное напряжение сток-исток
900 В
Серия
MDmesh, SuperMESH
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,8 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
22,7 нКл при 10 В
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
