STMicroelectronics STripFET F6 Type P-Channel MOSFET, 35 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD35P6LLF6

Код товара RS: 151-911Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD35P6LLF6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип P

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

35A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET F6

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.028Ом

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

30nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

70W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

RoHS

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET F6 Type P-Channel MOSFET, 35 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD35P6LLF6

P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET F6 Type P-Channel MOSFET, 35 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD35P6LLF6

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип P

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

35A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET F6

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.028Ом

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

30nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

70W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

RoHS

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China