Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
35A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
TO-252
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
20mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
80W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
44.5nC
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
6.2 mm
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Длина
6.6мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 659,65
тг 531,93 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 659,65
тг 531,93 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 245 | тг 531,93 | тг 2 659,65 |
| 250 - 495 | тг 326,31 | тг 1 631,55 |
| 500 - 620 | тг 303,96 | тг 1 519,80 |
| 625 - 1245 | тг 299,49 | тг 1 497,45 |
| 1250+ | тг 227,97 | тг 1 139,85 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
35A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
TO-252
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
20mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
80W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
44.5nC
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
6.2 mm
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Длина
6.6мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
