STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 35 A, 60 V, 3-Pin DPAK STD35NF06T4

Код товара RS: 760-9893Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD35NF06T4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

80 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

44,5 нКл при 10 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 659,65

тг 531,93 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 35 A, 60 V, 3-Pin DPAK STD35NF06T4
Select packaging type

тг 2 659,65

тг 531,93 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 35 A, 60 V, 3-Pin DPAK STD35NF06T4

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 245тг 531,93тг 2 659,65
250 - 495тг 326,31тг 1 631,55
500 - 620тг 303,96тг 1 519,80
625 - 1245тг 299,49тг 1 497,45
1250+тг 227,97тг 1 139,85

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

80 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

44,5 нКл при 10 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics