N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD2N80K5

Код товара RS: 829-7072Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD2N80K5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+30 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

9,5 нКл при 10 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

MDmesh K5, SuperMESH5

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.4мм

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 436,15

тг 487,23 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD2N80K5
Select packaging type

тг 2 436,15

тг 487,23 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD2N80K5

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 487,23тг 2 436,15
25 - 95тг 375,48тг 1 877,40
100 - 245тг 303,96тг 1 519,80
250 - 495тг 299,49тг 1 497,45
500+тг 272,67тг 1 363,35

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+30 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

9,5 нКл при 10 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

MDmesh K5, SuperMESH5

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.4мм

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics