STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD26P3LLH6

Код товара RS: 792-5717Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD26P3LLH6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип P

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

12A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

30V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

45mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

12nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

40W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Ширина

6.2 mm

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 503,20

тг 250,32 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD26P3LLH6
Select packaging type

тг 2 503,20

тг 250,32 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD26P3LLH6

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 20тг 250,32тг 2 503,20
30 - 90тг 245,85тг 2 458,50
100 - 240тг 187,74тг 1 877,40
250 - 490тг 183,27тг 1 832,70
500+тг 178,80тг 1 788,00

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип P

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

12A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

30V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

45mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

12nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

40W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Ширина

6.2 mm

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics