STMicroelectronics STD26P3LLH6 MOSFET

Код товара RS: 165-6853Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD26P3LLH6
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип P

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

12A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

30V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

45mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

40W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

12nC

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Просмотреть все в МОП-транзисторы

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STD26P3LLH6 MOSFET

1

Доступно в кратности 2500
1P.O.A.
2501P.O.A.
5001P.O.A.
7501P.O.A.
10001P.O.A.
12501P.O.A.
15001P.O.A.
17501P.O.A.
20001P.O.A.
22501P.O.A.
25001P.O.A.
27501P.O.A.
30001P.O.A.
32501P.O.A.
35001P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics STD26P3LLH6 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 2500
1P.O.A.
2501P.O.A.
5001P.O.A.
7501P.O.A.
10001P.O.A.
12501P.O.A.
15001P.O.A.
17501P.O.A.
20001P.O.A.
22501P.O.A.
25001P.O.A.
27501P.O.A.
30001P.O.A.
32501P.O.A.
35001P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип P

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

12A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

30V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

45mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

40W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

12nC

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics