STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD25NF10T4
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
25A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Корпус
TO-252
Серия
STripFET II
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
38Ом
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
55nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
100W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
RoHS
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
2500
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
25A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Корпус
TO-252
Серия
STripFET II
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
38Ом
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
55nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
100W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
RoHS
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China