STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD25NF10LT4

Код товара RS: 687-5068Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD25NF10LT4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

25A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

35mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

100W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

16 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

38nC

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 855,05

тг 371,01 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD25NF10LT4
Select packaging type

тг 1 855,05

тг 371,01 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD25NF10LT4

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 371,01тг 1 855,05
25 - 45тг 290,55тг 1 452,75
50 - 120тг 254,79тг 1 273,95
125 - 245тг 227,97тг 1 139,85
250+тг 210,09тг 1 050,45

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

25A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

35mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

100W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

16 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

38nC

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics