Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
25 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
STripFET II
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
35 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
100 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
6.2мм
Длина
6.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 5 В
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.4мм
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
25 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
STripFET II
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
35 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
100 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
6.2мм
Длина
6.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 5 В
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.4мм
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
