STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD25N10F7

Код товара RS: 792-5713Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD25N10F7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

25A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Серия

STripFET H7

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

35mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

40W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

14nC

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 531,30

тг 706,26 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD25N10F7
Select packaging type

тг 3 531,30

тг 706,26 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD25N10F7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 706,26тг 3 531,30
25 - 95тг 648,15тг 3 240,75
100 - 245тг 518,52тг 2 592,60
250 - 495тг 473,82тг 2 369,10
500+тг 424,65тг 2 123,25

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

25A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Серия

STripFET H7

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

35mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

40W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

14nC

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics