Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
320 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
6.2мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
19 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
2.4мм
Прямое напряжение диода
1.6V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 4 067,70
тг 813,54 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 4 067,70
тг 813,54 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 45 | тг 813,54 | тг 4 067,70 |
| 50 - 245 | тг 652,62 | тг 3 263,10 |
| 250 - 495 | тг 634,74 | тг 3 173,70 |
| 500 - 2495 | тг 420,18 | тг 2 100,90 |
| 2500+ | тг 397,83 | тг 1 989,15 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
320 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
6.2мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
19 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
2.4мм
Прямое напряжение диода
1.6V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
