STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V, 3-Pin DPAK STD16N60M2

Код товара RS: 876-5632Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD16N60M2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

MDmesh M2

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

320 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

6.2мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Высота

2.4мм

Прямое напряжение диода

1.6V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 067,70

тг 813,54 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V, 3-Pin DPAK STD16N60M2
Select packaging type

тг 4 067,70

тг 813,54 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V, 3-Pin DPAK STD16N60M2

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 813,54тг 4 067,70
50 - 245тг 652,62тг 3 263,10
250 - 495тг 634,74тг 3 173,70
500 - 2495тг 420,18тг 2 100,90
2500+тг 397,83тг 1 989,15

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

MDmesh M2

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

320 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

6.2мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Высота

2.4мм

Прямое напряжение диода

1.6V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics