STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13N65M2

Код товара RS: 876-5623Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD13N65M2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

10A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

TO-252

Серия

MDmesh M2

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

430mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

110W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

17nC

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 821,85

тг 764,37 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13N65M2
Select packaging type

тг 3 821,85

тг 764,37 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13N65M2

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 764,37тг 3 821,85
50 - 245тг 612,39тг 3 061,95
250 - 495тг 594,51тг 2 972,55
500 - 2495тг 393,36тг 1 966,80
2500+тг 375,48тг 1 877,40

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

10A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

TO-252

Серия

MDmesh M2

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

430mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

110W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

17nC

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics