STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD12NF06T4

Код товара RS: 151-936Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD12NF06T4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

12A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET II

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.1Ом

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

12nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

30W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

RoHS Compliant

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD12NF06T4

P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD12NF06T4

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

12A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET II

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.1Ом

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

12nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

30W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

RoHS Compliant

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China