STMicroelectronics STD10P6F6 MOSFET

Brand

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

160 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

7.45мм

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6,4 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.38мм

Прямое напряжение диода

1.1V

Страна происхождения

China