STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 13 A, 100 V, 3-Pin DPAK STD10NF10T4
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
13 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
STripFET
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
130 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
50 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
15,3 нКл при -10 В
Ширина
6.2мм
Высота
2.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
13 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
STripFET
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
130 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
50 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
15,3 нКл при -10 В
Ширина
6.2мм
Высота
2.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре