N-Channel MOSFET, 7.5 A, 650 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD10N60M2

Код товара RS: 786-3606PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD10N60M2
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

600 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

85 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

13,5 нКл при 10 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

MDmesh M2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.4мм

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 7.5 A, 650 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD10N60M2
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 7.5 A, 650 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD10N60M2

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

600 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

85 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

13,5 нКл при 10 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

MDmesh M2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.4мм

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics