STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF55L-06T4

Код товара RS: 687-5083Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB80NF55L-06T4
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

55V

Корпус

TO-263

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

7mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

300W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

16 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

100nC

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

10.4мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 698,60

тг 849,30 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF55L-06T4
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 1 698,60
4тг 3 397,20
6тг 5 095,80
8тг 6 794,40
10тг 8 358,90
12тг 10 030,68
14тг 11 702,46
16тг 13 374,24
18тг 15 046,02
20тг 16 270,80
22тг 17 897,88
24тг 19 524,96
26тг 21 152,04
28тг 22 779,12
30тг 24 406,20

тг 1 698,60

тг 849,30 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF55L-06T4

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 1 698,60
4тг 3 397,20
6тг 5 095,80
8тг 6 794,40
10тг 8 358,90
12тг 10 030,68
14тг 11 702,46
16тг 13 374,24
18тг 15 046,02
20тг 16 270,80
22тг 17 897,88
24тг 19 524,96
26тг 21 152,04
28тг 22 779,12
30тг 24 406,20

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 8тг 849,30тг 1 698,60
10 - 18тг 835,89тг 1 671,78
20 - 48тг 813,54тг 1 627,08
50 - 98тг 719,67тг 1 439,34
100+тг 692,85тг 1 385,70

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

55V

Корпус

TO-263

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

7mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

300W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

16 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

100nC

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

10.4мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics