STMicroelectronics STB80NF55L-06T4 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
80A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
55V
Корпус
TO-263
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
7mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
300W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
16 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
100nC
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
9.35 mm
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
80A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
55V
Корпус
TO-263
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
7mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
300W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
16 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
100nC
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
9.35 mm
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.