STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF55-06T4

Код товара RS: 188-8527Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB80NF55-06T4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

55V

Корпус

TO-263

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

6.5mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

142nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

300W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

9.35 mm

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

4.37мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF55-06T4
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF55-06T4

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

55V

Корпус

TO-263

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

6.5mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

142nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

300W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

9.35 mm

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

4.37мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет