STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF10T4

Код товара RS: 687-5080Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB80NF10T4
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-263

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

15mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

300W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

135nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 939,98

тг 969,99 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF10T4
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 1 939,98
4тг 3 879,96
6тг 5 819,94
8тг 7 759,92
10тг 8 135,40
12тг 9 762,48
14тг 11 389,56
16тг 13 016,64
18тг 14 643,72
20тг 15 913,20
22тг 17 504,52
24тг 19 095,84
26тг 20 687,16
28тг 22 278,48
30тг 23 869,80

тг 1 939,98

тг 969,99 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF10T4

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 1 939,98
4тг 3 879,96
6тг 5 819,94
8тг 7 759,92
10тг 8 135,40
12тг 9 762,48
14тг 11 389,56
16тг 13 016,64
18тг 14 643,72
20тг 15 913,20
22тг 17 504,52
24тг 19 095,84
26тг 20 687,16
28тг 22 278,48
30тг 23 869,80

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 8тг 969,99тг 1 939,98
10 - 18тг 813,54тг 1 627,08
20 - 48тг 795,66тг 1 591,32
50 - 98тг 777,78тг 1 555,56
100+тг 688,38тг 1 376,76

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-263

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

15mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

300W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

135nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics