STMicroelectronics STB80NF10T4 MOSFET

Код товара RS: 103-1566Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB80NF10T4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

135 нКл при 10 В

Ширина

9.35мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.6мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STB80NF10T4 MOSFET

P.O.A.

STMicroelectronics STB80NF10T4 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

135 нКл при 10 В

Ширина

9.35мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.6мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics